Samsung bị cáo buộc vi phạm sáng chế FinFET, đối mặt với mức đền bù 400 triệu USD

Một tòa án liên bang tại Texas đã yêu cầu Samsung Electronics trả 400 triệu USD cho một đại học ở Hàn Quốc vì vi phạm các bằng sáng chế cơ bản liên quan đến thiết kế bán dẫn double-gate FinFET. Tòa án này cũng phát hiện GlobalFoundries và Qualcomm vi phạm các sáng chế tương tự nhưng 2 công ty này không được yêu cầu trả phí đền bù.

Trước đó, công ty nhượng quyền của Viện khoa học và công nghệ tiên tiến Hàn Quốc (KAIST) tại Mỹ đã đệ đơn kiện Samsung lên tòa án liên bang ở Marshall, Texas, cáo buộc hãng này sử dụng các sáng chế của mình bất hợp pháp. Samsung cho biết hãng đã làm việc với KAIST để phát triển các công nghệ liên quan đến bán dẫn FinFET nhưng KAIST nêu rõ rằng Samsung đã "từ bỏ nghiên cứu FinFET" ngay từ đầu và khẳng định rằng Samsung sẽ thua kiện. KAIST cho biết Samsung đã thay đổi suy nghĩ về FinFET sau khi Intel nhượng quyền sử dụng sáng chế cho gã khổng lồ điện tử Hàn Quốc. Trong khi đó, KAIST cáo buộc Samsung đã không trả xu nào trong khi vẫn sử dụng công nghệ của họ.

Căn cứ theo bằng sáng chế bị vi phạm mang số đăng ký 6885055 tại Mỹ, Samsung được yêu cầu trả 400 triệu USD. Trên thực tế tòa án điều tra thấy hành vi vi phạm sáng chế của Samsung là có chủ đích thế nên mức phạt có thể lên đến 1,2 tỉ USD. Điều đáng chú ý là GlobalFoundries cũng vi phạm sáng chế của KAIST bởi hãng này đã cấp giấy phép cho Samsung để sử dụng công nghệ xử lý 14LPP. Ngoài ra Qualcomm cũng vi phạm bởi các SoC của hãng được sản xuất trên các tiến trình của Samsung Foundry và GlobalFoundries.

Samsung dĩ nhiên bày tỏ sự thất vọng đối với quyết định trên và cho biết sẽ kháng cáo. Hãng nói: "Chúng tôi sẽ xem xét tất cả các tùy chọn để có được phán quyết hợp lý hơn, kể cả kháng cáo.

Theo: AnandTech